Ядро: Sandy Bridge Количество ядер: 2 Техпроцесс, нм: 32 high-k Разъем LGA: 1155 Частота, МГц: 3300 Множитель: 33 FSB/HT/QPI: 5 GT/s кэш L1, КБ: 32+32 x2 кэш L2, КБ: 256x2 кэш L3, КБ: 3072 TDP, Вт: 65 Кол-во транзисторов, млн: 504 Площадь кристалла, кв. мм: 131 Предельная температура, °C: 69.1 Набор инструкций: RISC, IA32, XD bit, MMX, EM64T, SSE, SSE2, SSE3, Supplemental SSE3, SSE4.2, AVX Прочие особенности: HT,VT,EIST, HD Graphics 2000