Ядро Sandy Bridge Количество ядер 2 Техпроцесс, нм 32 high-k Разъем LGA 1155 Частота, МГц 3300 Множитель 33 FSB/HT/QPI 5 GT/s кэш L1, КБ 32+32 x2 кэш L2, КБ 256x2 кэш L3, КБ 3072 TDP, Вт 65 Кол-во транзисторов, млн 504 Площадь кристалла, кв. мм 131 Предельная температура, °C 69.1 Набор инструкций RISC, IA32, XD bit, MMX, EM64T, SSE, SSE2, SSE3, Supplemental SSE3, SSE4.2, AVX Прочие особенности HT,VT,EIST, HD Graphics 2000